第三代半導(dǎo)體可靠性驗證與評價可加急檢測

簡要描述：

第三代半導(dǎo)體作為一種理想的半導(dǎo)體材料，在新一代信息技術(shù)、新基建等領(lǐng)域得到了愈發(fā)廣泛的應(yīng)用。對于國內(nèi)企業(yè)而言，要獲取市場信任，檢測是證明第三代半導(dǎo)體質(zhì)量與可靠性的可行手段，同時也是提高其質(zhì)量可靠性的重要保障。廣電計量第三代半導(dǎo)體可靠性驗證與評價可加急檢測特意推出第三代半導(dǎo)體可靠性驗證與評價服務(wù)，助力企業(yè)產(chǎn)品高效發(fā)展。

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更新日期：2025-08-30

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詳細介紹

品牌	廣電計量	加工定制	是
服務(wù)區(qū)域	全國	服務(wù)周期	常規(guī)3-5天
服務(wù)類型	元器件篩選及失效分析	服務(wù)資質(zhì)	CMA/CNAS認可
證書報告	中英文電子/紙質(zhì)報告	增值服務(wù)	可加急檢測
是否可定制	是	是否有發(fā)票	是

第三代半導(dǎo)體可靠性驗證與評價可加急檢測服務(wù)背景

在第三代半導(dǎo)體的代表中，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）目前是技術(shù)較為成熟的材料，*的性能使其在新一代運動通信、新能源并網(wǎng)、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。SiC、GaN器件憑借杰出的系統(tǒng)性能，給許多應(yīng)用帶來更高的效率和功率密度，以及更低的系統(tǒng)成本。然而，與所有的新技術(shù)一樣，SiC、GaN器件必須全面嚴格地遵循技術(shù)開發(fā)和產(chǎn)品質(zhì)量檢驗程序。

第三代半導(dǎo)體可靠性驗證與評價可加急檢測服務(wù)內(nèi)容

廣電計量圍繞JEDEC系列標準，從三方面進行技術(shù)能力布局：

1、識別潛在的失效模式和失效機制，并根據(jù)目標壽命設(shè)計確認測試；

2、將樣品置于適當?shù)目煽啃詰?yīng)力下，以加速激發(fā)潛在的失效機制；

3、完成加速應(yīng)力后，對樣品進行測試，以確定其性能是否仍可接受。

針對SiC分立器件和模塊，廣電計量參照JEDEC、AECQ101及AQG324標準進行檢測驗證，能力不僅覆蓋用于驗證傳統(tǒng)Si器件長期穩(wěn)定性的所有方法，還開發(fā)了針對SiC器件不同運行模式的特定試驗，見表1。

表1 SiC器件特定可靠性試驗

試驗	試驗條件
HV-H3TRB	VDS=0.8VDSmax，Ta=85°C, RH=85%，t≥1000h
HTRB和負電壓	VDS=VDSmax，Tvj=175°C，VG =-10 V，t≥1000h
動態(tài)H3TRB	VDS>0.5VDSmax，dVDS/dt(at DUT)>30V/ns, 15kHz≤f≤25 kHz,Ta=85°C, RH = 85%，t≥1000h
動態(tài)反向偏壓（DRB）	VDS≥0.8VDSmax，dVDS/dt (at DUT)=50V/ns，f ≥25 kHz，Ta= 25°C，t≥1000h
動態(tài)柵偏（DGS）	次數(shù)≥1011，dVGS/dt =1 V/ns，f ≥50 kHz，VGSoff= VGSmin和VGSon= VGSmax，Ta=25°C
HTFB	SiC體二極管雙極退化

CaN器件的質(zhì)量及可靠性驗證以JEDEC和AECQ101為基準進行，見表2，并針對GaN器件和Si基器件之間的差異實施表3試驗。

表2 通用可靠性試驗

試驗	試驗條件
HTRB	Tj=150°C， VDS=0.8 VDSmax，t≥1000h
HTGB	Tj=150°C，VGS=±100%，t≥1000h
H3TRB	Tj=85°C，RH=85%，VDS=0.8 VDSmax，t≥1000h
TC	-40°C to +125°C，≥1000cycles
HTS	Ta=150°C，t≥1000h
IOL	DTj=100°C，2min on，2min off，≥5k cycles
ESD	HBM+CDM
MSL3	Ta=60°C，RH=60%，t=40h，3x reflow cycles

表3 CaN器件特定試驗

試驗	試驗標準
開關(guān)加速耐久試驗	JEP122,JEP180
動態(tài)高溫工作壽命	JEP122,JEP180
動態(tài)Rdon測試	JEP173
持續(xù)開關(guān)測試	JEP182